晶体管元件查询
型号：TK8A50D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】8 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRFSL4310PbFFTK65T680DD(NCE65T680D)IRLZ14IRFZ46NRF1S70N06RU75260Q-VBAPT5010LVRLSD65R180GFTK10E60WRJK5014STP6N95K5FHP100N03DNCE55H112SK3135LTK13A50D