晶体管元件查询
型号：SVF8N65F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：48 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管FLL200IB-2PSU04N65BRJK1525DPEJCS4N65V2SK1528LIRF224QM3006D2SK163IRF28054N65CSF64N122SK2601FQAF34N20LYFW20N60A7(20N60APS)2SK1239