晶体管元件查询
型号：SVF4N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】77 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】77 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.4 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管IRFJ422STP12NM50FP2SK3285FHC30FA/LGLNL045R210IRFP044STP32N65M5IXTH10N90MTP7N18AOD508IRFD024LNC7N60DTK8A60DA50N06SUM90N08-4m8P