晶体管元件查询
型号：SVF12N65K
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：209 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.64 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管LSB55R055GFFHX16FA/LGSUD19N20-902SK117MDF11N65B10N60H7N0310LDSTP9NK70ZK3115STH6NA80IRF832FTA04N60DCSD30N40HFP830LSGC085R065W3