晶体管元件查询
型号：SVD13N50T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.52 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FQU16N15RJK1535DPJFLM4450-25DAUV1404RFQPF16N15LSD70R380GTNDF10N60ZLNE10N60H5N2803PFIRF224FLM1213-8CRQK0605JGDQATK130F06K3TK25N60XNECK3435B