晶体管元件查询
型号：STD8N65M5
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】70 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】70 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.6 Ω
封装：DPAK
更多N沟道场效应管H7N1002LDFSC11LFSTP3NK90ZFPRJK0822SPNIRFIP448FS3KM-5A2SK2727RQK0601AGDQSSSM09N90GWIRFJ431STP14NK50ZFP2SK1636S2SK400MTP2N40MS4N1350