晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:STB20NM60T4
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):192 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
20 A
漏极和源极电压(VDSS):600 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.29 Ω
封装:D2PAK

更多N沟道场效应管IRL2505FQD2N60CFHP80N08B2SK29592SK3418FS70UMJ-2IRF121FQP8N60CNCE40H12DHI180N10JCS8N65SBSGT210N50W33SK297FTP10N40CIXFT15N100Q3

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