晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:SMN0665FD
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
48 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
5.5 A
漏极和源极电压(VDSS):650 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):2.2 Ω
封装:TO-220F

更多N沟道场效应管IXFP10N60P140N10FLM7785-4C/D2SK1415IRFM150SVF18N50T2SK1460BUZ3352SK4002NE32684ADH1404T3SK272CHM95C2SK1152SSTW32N65M5

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