晶体管元件查询
型号：SML25SCM650N2B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】90 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】90 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】25 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】25 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.148 Ω
封装：SMD1
更多N沟道场效应管AOD4186FSX02LFCMU1402IRFJ1222SK3151IXFN180N07TTB115N08AMOT65R380CMTP10N60-TAJCS2N60CSTW20N65M5BUK563-60ACM16N10CFSA02N60ADHI1710