晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGU1K4N65W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：3.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管IRFP4702N67617N03STI32N65M5FTP11N08AFSA07N60ASi2300DSLSB65R099GFSUB85N03-07PTSF10N60MFHP200N6F3ACM150N03H7N1004ABIXFH6N100DHI90N055R

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