晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB1K1N70W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：5 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管BFW12SWI6N60(SW6N60)2SK735NCE6060IRFF331SVF9N90FRJK6020DPKSGF280N60W32SK4086SKSS046N08NIRFZ24NH5N2005DSIRF740FIRFIP054FLS31

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