晶体管元件查询
型号：S80N08S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管2SK575MTH5N95IXFX26N120PIRF622FHP170N8F3AIRFU022IRFM240IRFK2FC50AOD410IRF433SVF14N60TIXFA10N60PFHP3710SUB70N03-09BPBUZ100