晶体管元件查询
型号：NVMYS011N04C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：LFPAK4
更多N沟道场效应管MGFX35V9095STH5N90WFF7N60FHX15XIRF243IRF840FIFLM5964-6DSSH7N60FSC10LFSTD65NF06NE32184A-1.16N60BFBM100N802SK2968FHP150N06