晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：NP32N055HHE
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.032 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管IRF613IRFZ20KIA2906AFLM0910-2LNE10R180TS300VCS3710B8FQPF34N20LNE32484AFMH08N80EBUZ231BUZ100IRF543LNH5N502SK3209

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