晶体管元件查询
型号：NCE80H11
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】105 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】105 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0065 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管CJQ4410HCF60R1903SK11222N50HYG028N10NS1P(G028N10)IRF821DH90N03NCE2302BFLM1011-8CFTP18N06SVF7N65CMJSGT180N65W3FTP03N50DFHD150N03CLSGG08R060W3