晶体管元件查询
型号：MTP10N35
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
漏极电流（ID）：10 A
漏极和源极电压（VDSS）：350 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.55 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管IRF640NLLSH70R450GTLSE65R180HTFQP9N50FQPF3N25FLM1213-8DNCE01H14IRF5122SK1036IRFM440IRFJ331FSX51X22N502SK666OR01H18A