晶体管元件查询
型号：MDP4N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】92.5 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】92.5 W
漏极电流（ID）：4.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFR422IRFS1Z3IRFJ432BR4N602SK58512N120K5H7N1004LMFTK65T180F(NCE65T180F)2N7000H5N2305PFHR02XBF989NEZ1414-2ASTP60NF06STW80NF55-08