晶体管元件查询
型号：MDD4N25
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】37 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】37 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.75 Ω
封装：D-PAK
更多N沟道场效应管LSG65R760GT2SK3262-01MRRFP8N18SGW420N80W3YTC100N10TMGF2124IRF200P223STP80NF55-06CS10N402SK653FLC151XPBUK436/800BLSG80R680GT6N60IPA60R299CP(6R299P)