晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSG65R1K5HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管FSC10LFSSF10N90A2SK1377KS6205GBFQI3N252SK1507FMH06N80EPHP7NQ60ERJK1021DPESRC60R140BTIRFK4J3502SK2645SVF4N65ASVF10N65IRH254

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