晶体管元件查询
型号：LSG60R1K4HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.4 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管75N10DFQD16N15FTP11N08A2SK2889DHE90N03IRFF433MGFK38V2228IRFU420DHB100N03S70N08SIRFJ422NVTFS5820NLSTP6NK90ZFPFTW30N20AIRFK4J054