晶体管元件查询
型号：LSD80R680GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：33 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.68 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管UV50N03IRF1404ZPbFAO3402FMI07N90EFS70UMJ-2DHF3205ABUZ21HA210N06IRFJ232SGU1K1N70W3FQI34N20LFTP04D65NCE01H14DSPP24N60C32SK2715