晶体管元件查询
型号：LSB65R099GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：278 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管FHP30N1F10ASVF4N60FMTH8N90IRFAF40SGT10N60SJMGFC39V64712SK2761-01MRIRFK3F350IRFAG42FDP5N60NZFLM6472-6DCEP85N75IRFIP4506N60CFTA07N60C