晶体管元件查询
型号：LNDN10N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-220MF
更多N沟道场效应管TF060N03MLNL04R250HY3608BIPB65R150CFD(65F6150)IPW65R041CFD(65F6041)MGF4304A2SK3162FS5ASJ-2IXFH24N50JCS7HN60FIRFK6J450IRF251FLR026FH2SK2561IXFN200N07