晶体管元件查询
型号：LND5N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.6 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRCZ44IRF8010SSS6N60RJK5013DPECS8N65FNCE65TF180FKGF1860IRFK2DE50IRF6252SK1617MOT65R380DH7N0312AB2SK2347UV3710RNP80N055ELE