晶体管元件查询
型号：IXTQ40N50L2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：540 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管LNG04R165CS100N06D3FSC11XSRC60R140BTSCT3030ALRJK4015DPKBUZ91SSF10N60AIRLZ1411N602SK3210LSVT077R5NSTK18A50DH5N2003PIRFPE40