晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXFT66N20Q
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】400 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】66 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.04 Ω
封装：TO-268

更多N沟道场效应管SVF11N60F2SK301-RLSE60R180HTRF1S70N03IXFK44N50PFTNCS1N60MXP8835AFAOI482LSF65R180HTFQPF16N15CS72N12MGFX35V9500SVG076R5NTNCE30H12KSM4N60S

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