晶体管元件查询
型号：IXFM42N20
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】42 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】42 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω
封装：TO-204AE
更多N沟道场效应管CEB80N75LSC60R125HT2SK2518IPD70R950CE(70S950CE)MGF2415IRF623HY3610PSSGF650N80W3H7N0310LM2SK3714FLM6472-12DATK150F04K32SK904RQA0003FS100KMJ-03F