晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:IXFK180N10
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
560 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
180 A
漏极和源极电压(VDSS):100 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.008 Ω
封装:TO-264

更多N沟道场效应管2SK1636LMGFC39V5258LND18N50CS840A8HSGI1K4N65W3SGB380N60SJH5N2005DS2SK1350FLL10MEMGF1423IRF513IRFI634STW9NK70ZJCS8N65SB2SK3326

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