晶体管元件查询
型号：IRFS59N10D
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.025 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管LSE65R280HTIRFR120N2SK2869STK11P65WIRF5322SK1833BUK9640-100AIRFK6J350BB305CSSS7N60BFLC311MG-4LNF12N60IRF330STU4N62K3FLM5964-25D