晶体管元件查询
型号：IRFP4768PbF
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：520 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】93 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】93 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0175 Ω
封装：TO-247AC
更多N沟道场效应管IPLU300N04S4-R8(4N04R8)MGF1802SGT280N60W32SK1615IRFZ42IRF133FLL200IB-12SK2374SUP85N03-04PRJK6026DPEH7N1005DSMDF11N6011N80-C2SK2599IRF543