晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFN5210
类型：P沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】-31 A
漏极和源极电压（VDSS）：-100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω
封装：SMD1

更多P沟道场效应管FQP17P10IRFP9143AO3407HM2309C2SJ552LIRF9140IRF9611UV2301DH100P2510.5P04IRFU9120NIRHM9250(JANSR2N7423)30P102SJ542DH100P18F

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