晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRFBG30
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】125 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3.1 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：5 Ω
封装：TO-220AB

更多N沟道场效应管SGB420N80W3FMH06N90E2SK2996FDP365213N652SK3082LSTW33N60SWI8N65DIPP05CN10NIXTK80N25IRFP152IXTA460P2FS10AS-2SFP65N06200N04

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