晶体管元件查询
型号：IPP120N06S4-H1(4N06H1)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0024 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRF1432SK3296H5N5006LDLNL0605BF410AIRF252MXP8828ALH5N3003PMDP11N60LSC70R640GTBUK444/800BSIF7N80CFDP10N60NCS10N65KRQK0204TGDQA