晶体管元件查询
型号：IPP110N20N3G(110N20N)
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】88 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.011 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IPS60R400CEHY5608ASIF12N60CBUZ332ACM50N06FJCS2N60C2N4416FHX06FA/LGFSX03X2SK1838LFSS2306(A6SHB)BSH105SRC60R140BS2RJK1525DPSTK110Z65Z