晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HYG006N04LS1B6
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】405 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】530 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.1~2.5 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.00072 Ω
封装：TO-263-6L

更多N沟道场效应管H7N1005FMHCF60R190PHP45N03LTDHI070N06MTD3N25EPTA20N65P20N60PNIRFU111IRF1312IRFZ34NFHP120N7F6AIXTH50N25TSGD600N60W3LNG04R165IRF225

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