晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HY5110W
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】316 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0025 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管IRFS4410ZPbFSTB75NF752SK2938SMGF1414IPA60R099C6(6R099C6)2SK180IXTK150N15PHMS85N952SK3570FQPF3N80CRJK1021DPNIPI037N08N3FTW20N60AKJ03N08DHY5608W

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