晶体管元件查询
型号：HY3208
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：227 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管IRFP252IRF3710IXTM4N70(A)SVD4N60LNH2N60SUP70N03-09BPMPVA13N50FSTP65NF06UV2300CS150N03IPD250N06N32SK36582SK163APT26F120LMGF1802