晶体管元件查询
型号：H5N2801P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】60 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】60 A
漏极和源极电压（VDSS）：280 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.043 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管STW43NM60ND5N603SK112FHP3205BGNW190N08QIRF153RQA0005LSD80R350GTFHF840KIA50N06LSGC04R029SPW20N60CFDDHB100N03SGF1K1N65W3NVB5860NT4G