晶体管元件查询
型号：FQU19N10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】15.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】15.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.1 Ω
封装：I-PAK
更多N沟道场效应管SG8N60MIRFPF42IRFJ4314N65P2SK108STI18N60M2J310FQA32N20C23N50IRLU024DH90N055RSGD660N70W3IPW60R045CPFTD09N03NMGF2205