晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：FQD3P50TM-F085
类型：P沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】-2.1 A
漏极和源极电压（VDSS）：-500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：4.9 Ω
封装：DPAK

更多P沟道场效应管NCE30P20QIRF9240USG60P03IRFD9024UV34012SJ486IRFP9542DH100P18I40P10IRF9613DHB59502SJ550LIRFP9533IRFF9130NCE40P40K

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