晶体管元件查询
型号：FDA38N30
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】312 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】312 W
漏极电流（ID）：38 A
漏极和源极电压（VDSS）：300 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.085 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管2SK2730FQPF34N20LFDP3652FDP18N50CM59N10CDHI0159TFP290N08NCE0157DHB1710LN16N15D2(16N15)RJK4513DPEIXFT15N100Q3IXTH11N952SK1363RQK0204TGDQA