晶体管元件查询
型号：FBM85N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】170 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】170 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0085 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管RQK0201QGDQA17N80C3AOI4782SK2477IRFF210IRFU214BB505CMGFC36V374220N06STP13NM60NAOD410MGFC42V3742FQPF2N60CIRFJ441BUZ73