晶体管元件查询
型号：DN2540N3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：1 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.12 A
漏极和源极电压（VDSS）：400 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：25 Ω
备注：耗尽型
封装：TO-92
更多N沟道场效应管SVG076R5NDFCH077N65FFLM3742-14/DIRFAE30SI2306(H306)FLM1213-8CSVG103R0NS6TRFTP16N06N2SK2628ALSCM59N10C2SK2294TPW65R170MFHP100N08FLR054XV2SK2932