晶体管元件查询
型号：DH200N08D
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：200 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0028 Ω
总耗散功率（Ptot）：245 W
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管MTP3N35STW10NK60ZDHE90N035RIRLU7843PbFLSF70R640GTRU7089R2N6800LNC06R062SSF10102N3972IPW65R035CFD7A(65A035F7)MDF10N65BIXTK80N25IRFR210MDF12N50B