晶体管元件查询
型号：DH100P30I
类型：P沟道场效应管
耗散功率（PD）：120 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】-30 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】-30 A
漏极和源极电压（VDSS）：-100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.051 Ω
封装：TO-262
更多P沟道场效应管NCE40P40KHAT1094CIRFP9132FS3401(X1FS20)FX50SMJ-062SJ553SIRF9233SUD50P06-15HAT1108CIRFU9222IRFP9123IRF5305PbFNCE3007SFX50KMJ-03IRFF9230