晶体管元件查询
型号：CRST045N10N
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】172 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】172 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0045 Ω
总耗散功率（Ptot）：227 W
封装：TO-220
更多N沟道场效应管H5N3003PIRFU024NPbFSTD12NM50NEMA09N03CSSi2300DSIRFP2512SK952IRF1312IRF423STP6N95K5IRFZ44NIRFPG50CS48N88FTK65T180DD(NCE65T180)S85N10R