晶体管元件查询
型号：APT26F120B2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1135 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1135 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】27 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】27 A
漏极和源极电压（VDSS）：1200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.58 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管MDF18N50JCS2N60CDHI3205TH7N1004DLSGB360N70W3CS64N12SKD503T2SK1235NCE55H122SK668DHE1404TSTW4N150STW20NK50ZFLM5964-25DAIXTT40N50L2