晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：AP2306N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2.1 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6 A
漏极和源极电压（VDSS）：20 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.028 Ω
封装：SOT-23

更多N沟道场效应管LSGE10R080W32SK415MGF1903BB504MIPW65R035CFD7A(65A035F7)RFG70N06LND10R180CM50N06FIRFP150MMDF15N60GIRFJ323BUZ81(A)SVD12N60TFK20SM-6FS3KM-10

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