晶体管元件查询
型号：8N60G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：142 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管SGF145N60W32SK2084S5N30SVD5N602SK2628ALSIPP60R360P7IRFF3202SK1082IRFZ48CHM95CKJ023N10D7JCS5N50CTA4SHB2SK2383IRFP343