晶体管元件查询
型号：3DG56B
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.015 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：20 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：500 MHz
直流放大系数（hFE）：≥20
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG102B3DG104C3DG11F3DG201C3DG2053DG146A3DG91A3DG141A2SC1674TF3063DG91B3DG100C2SC19233DG103M3DG103C